+7 999 512 42 79 Обратный звонок
Корзина (0)
Ваша корзина пуста!
Плазменное травление карбида кремния
Плазменное травление карбида кремния
Плазменное травление карбида кремния
Плазменное травление карбида кремния
Плазменное травление карбида кремния
Плазменное травление карбида кремния
Плазменное травление карбида кремния
Плазменное травление карбида кремния
Модель: Травление карбида кремния

Плазменное травление карбида кремния

В сравнение

Глубокое плазменное травление карбида кремния (SiС). Возможно изменение технологических параметров в широком диапазоне, что позволяет получать структуры с заданным профилем и точно контролировать процесс травления. 

Подробное описание
На складе Купить в один клик
  • ВЧ мощность ИСП от 500 до 3500 Вт
  • Напряжение смещения, подаваемого на подложкодержатель от -15 до 500 В
  • Температура подложкодержателя от -50 до 400 ᴼС
  • Рабочее давление от 0.5 до 3 Па
  • Расход газа-травителя до 3л/ч
  • Возможность регулировки подложкодержателя относительно области генерации плазмы от 15 до 5 см
  • Скорость травления до 1.3 мкм/мин
  • Среднеквадратичная шероховатость поверхности 0.7 нм
  • Угол наклона стенки профиля травления 90ᴼ

Для более подробной информации и заказа обращайтесь на электронную почту.